赛微电子:公司在碳化硅基氮化镓GaN-on-SiC材料及制造方面具有技术氮化镓有更多的优势

有投资者在投资者互动平台提问:你好公司有涉及碳化硅吗。

赛微电子:公司在碳化硅基氮化镓GaN-on-SiC材料及制造方面具有技术氮化镓有更多的优势

赛微电子4月5日在投资者互动平台表示,GaN和SiC都属于第三代半导体,在宽禁带和击穿电场方面都有相同的特性,都适合做功率电子应用,氮化镓具有高导通能力,氮化镓的异质结是碳化硅不具备的,因此,氮化镓相对碳化硅更具有速率和效率方面的优势,另一方面碳化硅起步较早,更加成熟,有一定的成本优势,良率,热导率也会更好些,因此在超高压大功率有更强的散热优势简单来说,在功率系统里,大于10KW以上的汽车逆变器,轨道交通,发电等应用领域,碳化硅更有优势,在10KW以下的快充,智能家电,无线充电,服务器等应用领域,氮化镓有更多的优势当然,以上属于我们公司的理解,不一定权威,还请投资者多方咨询确认

今年3月份,斯达半导披露非公开发行预案,计划募资35亿元;直至本次披露最终认购结果,公司以330元/股发行价格,合计发行股数1060.61万股。截至11月16日收盘,斯达半导收盘价微涨报收449.3元/股。

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