台积电日本合资工厂将增加12/16nm工艺投资增至86亿美元

,据国外媒体报道,原计划建成之后采用22/28nm工艺为相关客户代工晶圆的台积电日本合资工厂,将增加12/16nm工艺,工厂的投资也将会有增加。

台积电日本合资工厂将增加12/16nm工艺投资增至86亿美元

而在去年11月9日宣布在日本设立合资公司并建厂时,台积电方面是预计全部资本支出约为70亿美元,直接创造1500个高技术专业岗位。不过具体的工艺指标还没公布,只知道还是GAA晶体管,跟3nm一样基于MBCFET技术,这是一种纳米片晶体管,可以垂直堆叠,而且兼容现在的CMOS工艺,共享设备与制造方法,降低了新技术的升级成本。。

台积电在日本设立合资公司并建设晶圆厂,是在去年的11月9日正式宣布的,合资公司名为日本先进半导体制造公司,设在熊本县,与索尼半导体解决方案公司合资设立,索尼方面计划投资约5亿美元,获得不超过20%的股份。

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